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HYG190C04LA1C2


产品特性：
此器件为40V N+P结构、15.7/33.1mΩ内阻、PDFN5*6封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动、DC-DC等...
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