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HYG850PD02KA1C6


此器件为 P 沟道、-20V耐压、65mΩ内阻、DFN6L(0202) 双通道封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足负载开关、信号驱动等应用领域。
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